[发明专利]薄膜晶体管阵列基板

摘要

本发明的薄膜晶体管阵列基板(10)，对应于高开口率化及高精细化，其具有：多条扫描线(12)；绝缘膜(21)；多条信号线(13)，具有隔着绝缘膜(21)与各扫描线交叉的交叉部(13D)；多个薄膜晶体管(14)，各具有半导体层(22a)、栅极绝缘膜、栅电极(14c)、漏电极(14b)及源电极(14a)；多个中继电极(17)，各具有：第一重合部(17a)，设置在信号线(13)的至少交叉部(13D)上，具有与信号线的交叉部(13D)的长度相同或比其大的长度；第二重合部(17c)，形成在漏电极(14b)上；及连接部分，连接第一重合部(17a)和第二重合部(17c)；该中继电极将信号线和漏电极(14b)电连接；及像素电极(15)，与各薄膜晶体管(14)的源电极(14a)连接。

主权项

1、一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，具有：多条扫描线；绝缘膜，覆盖上述扫描线而形成；多条信号线，设置在上述绝缘膜上，具有隔着上述绝缘膜与上述各扫描线交叉的交叉部；多个薄膜晶体管，分别具有半导体层、栅极绝缘膜、与上述扫描线连接的栅电极、漏电极及源电极；多个中继电极，分别具有：第一重合部，设置在上述信号线的至少上述交叉部上，具有与上述信号线的上述交叉部的长度相同或比上述信号线的上述交叉部的长度大的长度；第二重合部，形成在上述漏电极上；以及连接部分，连接上述第一重合部和上述第二重合部；该中继电极对上述信号线和上述漏电极进行电连接；以及像素电极，与上述各薄膜晶体管的上述源电极连接。