[发明专利]半导体制造装置的清洗装置及清洗方法有效

专利信息
申请号: 200910161234.3 申请日: 2009-07-24
公开(公告)号: CN101637766A 公开(公告)日: 2010-02-03
发明(设计)人: 小久保峰幸;山涌纯;守屋刚 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: B08B3/02 分类号: B08B3/02
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 李 伟;舒艳君
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体制造装置的清洗装置及清洗方法,能够进行比以往效率高的清洗作业,并且能够得到更好的清洗效果。所述半导体制造装置的清洗装置(100)具有由纯水生成纯水水蒸气的纯水水蒸气生成容器(2)、将纯水水蒸气供给到被清洗部位的供给口(5)、连接纯水水蒸气生成容器和供给口的供给管路(4)、从被清洗部位回收在清洗中使用后的使用完毕水蒸气的回收口(6)、将使用完毕水蒸气凝结并回收的回收容器(8)、以及连接回收口(6)和回收容器(8)的回收管路(7)。
搜索关键词: 半导体 制造 装置 清洗 方法
【主权项】:
1.一种半导体制造装置的清洗装置,其特征在于,具有:纯水水蒸气生成容器,其由纯水生成纯水水蒸气;供给口,其将纯水水蒸气供给到被清洗部位;供给管路,其连接上述纯水水蒸气生成容器和上述供给口;回收口,其设置于上述供给口的周围,从被清洗部位回收在清洗中使用后的使用完毕水蒸气;回收容器,其使使用完毕水蒸气凝结并回收;以及回收管路;其连接上述回收口和上述回收容器。
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