[发明专利]半导体器件

摘要

提供的是ESD保护元件，其中：LOCOS氧化物膜在栅电极的两端形成，以及该LOCOS氧化物膜中未位于漏极侧的一个LOCOS氧化物膜下面形成的扩散层的导电类型设置成p型，以从而限制由于漏极的表面击穿而产生的电流在源极侧n型高浓度扩散层下面的部分中流动的量。通过这个结构，即使在保护高耐受电压元件的情况下，可以容易地满足对于ESD保护元件所要求的功能，该功能是，在稳态期间持续地处于截止状态，而当电涌或噪声施加到半导体器件时工作以致不达到内部元件的破坏，释放产生的巨大电流，然后再次恢复截止状态。

主权项

1.一种半导体器件，包括：在p型半导体区域的表面上形成的栅极绝缘膜；设置在所述栅极绝缘膜上的栅电极；设置在所述p型半导体区域的表面的部分上的LOCOS氧化物膜，所述部分位于所述栅电极的两端；设置在所述LOCOS氧化物膜中的一个LOCOS氧化物膜下面的p型沟道阻止扩散层；设置成与所述p型沟道阻止扩散层接触的第一n型高浓度扩散层；设置成与所述p型沟道阻止扩散层和所述第一n型高浓度扩散层接触的p型高浓度扩散层；设置在所述LOCOS氧化物膜中的另一个LOCOS氧化物膜下面的n型沟道阻止扩散层；以及设置成与所述n型沟道阻止扩散层接触的第二n型高浓度扩散层。