[发明专利]半导体元件的制造方法无效
| 申请号： | 200910163899.8 | 申请日： | 2009-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN101673676A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 廖舜章;钟昇镇;郑光茗;庄学理 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种含高介电常数金属栅极结构的半导体元件的制造方法。提供一包含虚置栅极结构(例如牺牲多晶硅栅极)的基材，一第一及第二硬掩模层位于此虚置栅极结构上方。在一实施例中，一应变区形成在此基材上。在形成此应变区之后，移除此第二硬掩模层。形成一源/漏极区，接着在此基材上形成一层间介电层(ILD)。在进行一化学机械研磨(CMP)工艺平坦化此层间介电层时，可用此第一硬掩模层作为停止层。此化学机械研磨工艺可持续进行以移除此第一硬掩模层。移除此虚置栅极结构并形成一金属栅极。本方法也可防止硅化物形成在虚置栅极结构上(例如在牺牲多晶硅上)。并且，本方法以硬掩模层作为化学机械研磨(CMP)工艺在平坦化层间介电层时的良好的停止层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的制造方法，包含：提供一基材，其上设置有一虚置栅极结构；形成一硬掩模层于该虚置栅极结构上；沉积一介电层；平坦化该介电层并使用该硬掩模层作为一停止层；及移除该硬掩模层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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