[发明专利]半导体存储装置无效
| 申请号： | 200910164907.0 | 申请日： | 2009-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN101640070A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 河野和幸;春山星秀;中山雅义;持田礼司 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储装置，能抑制程序操作时向存储单元施加接地电源时产生的因IR-DROP而导致的接地电压上升。针对与存储单元(MC)的源极和漏极连接的位线(MBL0)、(MBL1)，与接地端之间设置有放电晶体管(D0)、(D1)。放电晶体管(D0)、(D1)的栅极接收由DS解码驱动器(53)生成并输出的相互独立的放电控制信号(DS0)、(DS1)。存储单元(MC)的程序操作时，针对施加接地电压的位线(MBL0)，能够利用放电晶体管(D0)来设定接地电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1、一种半导体存储装置，其特征在于，具备：存储单元；第1和第2位线，其分别与所述存储单元的源极和漏极直接或通过选择晶体管间接连接；电压施加电路，其输出用于施加给所述存储单元的接地电压和规定的正电压；列选择电路，其控制是否向所述第1和第2位线施加从所述电压施加电路输出的接地电压和规定的正电压；第1和第2放电晶体管，其分别设置在所述第1和第2位线与接地端之间，且栅极接收相互独立的放电控制信号；和放电控制电路，其生成并输出所述放电控制信号。
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