[发明专利]显示装置的制造方法有效
申请号: | 200910165266.0 | 申请日: | 2004-11-18 |
公开(公告)号: | CN101635263A | 公开(公告)日: | 2010-01-27 |
发明(设计)人: | 山下晃央;福本由美子;后藤裕吾 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/82;H01L27/32;G02F1/1333 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 李 进;李连涛 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 为提供一种高产量制造具有优良抗冲击性的显示装置的方法,特别是一种制造具有用塑料衬底制成的光学膜的显示装置的方法。该制造显示装置的方法包括步骤:在第一衬底上顺序形成金属膜、氧化物膜和光学滤光片;从所述第一衬底上分离包括所述光学滤光片的层;将包括光学滤光片的层贴到第二衬底上;在第三衬底的一个表面上形成包含像素的层;将该含有像素的层贴到第四衬底上;以及将包括光学滤光片的层贴到所述第三衬底的另一表面。 | ||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种制造发光装置的方法,包括:第一步,在第一衬底上顺序形成第一氧化物膜和光学滤光片,利用第一粘性材料将第二衬底贴到该光学滤光片的表面,使该第二衬底通过所述光学滤光片而面向第一衬底,利用第一可剥离的粘合剂将第一支持介质贴到第二衬底的表面,并将所述第一衬底与第一氧化物膜分离;第二步,在第三衬底上形成第二氧化物膜,在第二氧化物膜上形成薄膜晶体管,在薄膜晶体管上形成发光元件,利用第二粘性材料将第四衬底贴至发光元件,并将所述第三衬底与第二氧化物膜分离;和第三步,在第一和第二步之后利用第三粘性材料将所述第一氧化物膜贴到所述第二氧化物膜,并从第二衬底去掉所述第一可剥离的粘合剂和第一支持介质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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