[发明专利]半导体器件导线的绝缘方法有效
| 申请号： | 200910165373.3 | 申请日： | 2009-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN101770977A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 银炳秀 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;王春伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种用以使半导体器件的导线绝缘的方法。所述方法的一个实施方案包括在半导体衬底的单元区域上形成第一位线堆叠结构和在所述半导体衬底的周边区域上形成第二位线堆叠结构，以及形成旋涂式电介质(SOD)层以填充在所述第一与第二位线堆叠结构之间。所述方法还包括回蚀刻所述SOD层，以暴露所述第一和第二位线堆叠结构的上侧部，选择性地移除在所述周边区域上存在的所述SOD层的部分，以及沉积高密度等离子体(HDP)绝缘层以覆盖在所述单元区域上存在的所述SOD层的部分并填充在所述周边区域上存在的所述第二位线堆叠结构之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 导线 绝缘 方法 | ||
【主权项】：
一种用以使半导体器件的导线绝缘的方法，所述方法包括：在半导体衬底的单元区域上形成第一位线堆叠结构和在所述半导体衬底的周边区域上形成第二位线堆叠结构；形成旋涂式电介质(SOD)层，以填充在所述第一与第二位线堆叠结构之间；回蚀刻所述SOD层，以暴露所述第一及第二位线堆叠结构的上侧部；选择性地移除所述SOD层的在所述周边区域上存在的部分；和沉积高密度等离子体(HDP)绝缘层，以覆盖所述SOD层的在所述单元区域上存在的部分并填充在所述周边区域上存在的所述第二位线堆叠结构之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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