[发明专利]封装基板的电性连接结构及封装结构无效
| 申请号： | 200910165565.4 | 申请日： | 2009-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101989588A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 许诗滨 | 申请（专利权）人： | 全懋精密科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/488;H01L23/12 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种封装基板的电性连接结构及封装结构。其中一种封装基板的电性连接结构，在该封装基板上设有多个第一电性接触垫，在该第一电性接触垫上设有该电性连接结构，该电性连接结构在各该第一电性接触垫上设有金属缓冲层，且形成该金属缓冲层的材料为焊锡材料，并在该金属缓冲层上设有凸柱。从而能通过该金属缓冲层，在回焊处理中提供基板的些许位移以释放应力，以避免所述凸柱因偏位所产生的应力而导致的缺点。本发明还提供一种封装结构。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 连接 结构 | ||
【主权项】：
一种封装基板的电性连接结构，在该封装基板上设有多个第一电性接触垫，在该第一电性接触垫上设有该电性连接结构，通过该电性连接结构以电性连接至印刷电路板或封装结构，其特征在于，该电性连接结构包括：多个金属缓冲层，对应设在各该第一电性接触垫上，且形成该金属缓冲层的材料为焊锡材料；以及多个凸柱，对应设在各该金属缓冲层上，且该凸柱的熔点高于该金属缓冲层。
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