[发明专利]存储装置以及其制造方法有效
申请号: | 200910165583.2 | 申请日: | 2006-01-26 |
公开(公告)号: | CN101615615A | 公开(公告)日: | 2009-12-30 |
发明(设计)人: | 浅见良信 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/105 | 分类号: | H01L27/105;H01L21/8239 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 李 进;韦欣华 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的是在安装在以RFID为典型的半导体装置中的存储元件中,提供减少制造步骤以实现低成本化的存储元件和具有该存储元件的存储电路。本发明是具有有机化合物的存储元件,该有机化合物夹在电极之间,其中,将与控制该存储元件的半导体元件连接的电极用作该存储元件的电极。此外,由于将形成在绝缘表面上的极薄的半导体膜用作该存储元件,从而,可以实现低成本化。 | ||
搜索关键词: | 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种存储装置,包括:绝缘表面上的栅电极;栅电极上的栅绝缘膜;栅绝缘膜上的半导体膜,其中所述半导体膜包括杂质区;所述半导体膜上的导电膜,有杂质区介于其间,其中所述导电膜具有源极或漏极功能;所述导电膜上的层间绝缘膜;其中所述层间绝缘膜在导电膜上被提供有开口部分;层间绝缘膜上的底部电极,其中所述底部电极在开口部分与漏极电连接;形成在底部电极和层间绝缘膜上的绝缘物;和形成在所述绝缘物上的上部电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的