[发明专利]存储装置以及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200910165583.2 申请日: 2006-01-26
公开(公告)号: CN101615615A 公开(公告)日: 2009-12-30
发明(设计)人: 浅见良信 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L27/105 分类号: H01L27/105;H01L21/8239
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 李 进;韦欣华
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的目的是在安装在以RFID为典型的半导体装置中的存储元件中,提供减少制造步骤以实现低成本化的存储元件和具有该存储元件的存储电路。本发明是具有有机化合物的存储元件,该有机化合物夹在电极之间,其中,将与控制该存储元件的半导体元件连接的电极用作该存储元件的电极。此外,由于将形成在绝缘表面上的极薄的半导体膜用作该存储元件,从而,可以实现低成本化。
搜索关键词: 存储 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种存储装置,包括:绝缘表面上的栅电极;栅电极上的栅绝缘膜;栅绝缘膜上的半导体膜,其中所述半导体膜包括杂质区;所述半导体膜上的导电膜,有杂质区介于其间,其中所述导电膜具有源极或漏极功能;所述导电膜上的层间绝缘膜;其中所述层间绝缘膜在导电膜上被提供有开口部分;层间绝缘膜上的底部电极,其中所述底部电极在开口部分与漏极电连接;形成在底部电极和层间绝缘膜上的绝缘物;和形成在所述绝缘物上的上部电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910165583.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top