[发明专利]显示装置

摘要

本发明提供一种可以减小降低了截止电流的薄膜晶体管的尺寸的显示装置。本发明提供一种在基板中形成有薄膜晶体管的显示装置，其中，薄膜晶体管被形成为相对于其半导体层隔着栅绝缘膜配置有栅电极、并由以其半导体层的被划分开的各区域作为各自的半导体层的至少第一和第二薄膜晶体管构成，在半导体层中，具备兼作第一薄膜晶体管的漏区和源区的一方以及第二薄膜晶体管的漏区和源区的另一方的公共区，在第一和第二薄膜晶体管各自的半导体层中，在沟道区与漏区之间、及沟道区与源区之间，分别具备掺杂浓度比漏区和源区低的LDD区，栅电极被形成为跨越半导体层的公共区、并至少与第一薄膜晶体管的沟道区和各LDD区、及第二薄膜晶体管的沟道区和各LDD区对置。

主权项

1.一种显示装置，在基板中形成有薄膜晶体管，其特征在于，上述薄膜晶体管被形成为相对于其半导体层隔着栅绝缘膜配置有栅电极，并且上述薄膜晶体管由以上述半导体层的被划分开的各区域作为各自的半导体层的至少第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管构成，在上述半导体层中，具备既作为上述第一薄膜晶体管的漏区和源区中的一方也作为上述第二薄膜晶体管的漏区和源区中的另一方的公共区，在第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的各自的半导体层中，在沟道区与上述漏区之间、以及沟道区与上述源区之间，分别具备掺杂浓度比上述漏区和上述源区低的LDD区，上述栅电极被形成为跨越上述半导体层的上述公共区，并至少与上述第一薄膜晶体管的上述沟道区和上述各LDD区、以及上述第二薄膜晶体管的上述沟道区和上述各LDD区对置。