[发明专利]偏置控制装置无效
| 申请号： | 200910166631.X | 申请日： | 2009-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN101677242A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 望月亮 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H03K19/094 | 分类号： | H03K19/094;H03F1/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈 萍 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种偏置控制装置，不错误设定为FET破损的电压，能够调整FET的偏置。偏置控制装置(1)具有：温度检测器(351)，对FET(场效应晶体管)(12、24)的周围温度进行检测；第1电压生成部(2)，根据该温度检测器的输出，生成正电压的温度补偿用电压信号；第2电压生成部(3)，生成正电压的偏置电压信号；以及运算放大器(33、34)。运算放大器(33、34)将温度补偿用电压信号和偏置电压信号相加并反向放大，而生成向FET施加的负电压的偏置电压。 | ||
| 搜索关键词： | 偏置 控制 装置 | ||
【主权项】：
1.一种偏置控制装置，其特征在于，具有：温度检测器，对耗尽型场效应晶体管的周围温度进行检测；第1电压生成部，根据该温度检测器的输出，生成正电压的温度补偿用电压信号；第2电压生成部，生成正电压的偏置电压信号；以及运算放大器，将上述温度补偿用电压信号和上述偏置电压信号相加并反向放大，而生成向上述场效应晶体管施加的负电压的偏置电压。
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