[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910168197.9 | 申请日： | 2009-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN101667590A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 铃木彰;土屋尚文;龟山工次郎 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社;三洋半导体制造株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L21/04;H01L21/329;H01L27/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 日本国大阪府守*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种既可抑制制造成本，又可谋求与保护环相接的PN接合部的耐压性提升的半导体器件及其制造方法。本发明是在半导体衬底(10)的表面形成N-型半导体层，且在其上层形成P型半导体层。在P型半导体层上形成绝缘膜。之后，形成从绝缘膜至N-型半导体层的厚度方向的途中的多个沟，即第1沟、第2沟及第3沟。多个沟在其中彼此邻接的2个沟中，接近电子元件侧，即接近阳极电极侧的沟形成为比该沟靠外侧的另一沟更浅。之后，在第1沟内、第2沟内及第3沟内充填绝缘材料。之后，将由半导体衬底及迭层于其上层的各层所构成的迭层体，沿着切割线进行切割。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，其特征在于，具备：半导体衬底；半导体层，形成于该半导体衬底；电子元件，形成于该半导体层；及保护环，以包围所述电子元件的形态形成于所述半导体层；而所述保护环包含以包围所述电子元件的形态形成于所述半导体层的多个环状沟、及充填于各沟内的绝缘材料，而各沟的深度彼此不同。
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