[发明专利]半导体元件的制法有效
| 申请号： | 200910169143.4 | 申请日： | 2009-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN101789367A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 张庆裕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;G03F7/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件的制法，其制法包括以下步骤：形成一材料层于一基材之上；形成一牺牲层于材料层之上，其中材料层与牺牲层各自具有小于100埃的厚度；形成一图案化光致抗蚀剂层于牺牲层之上；利用图案化光致抗蚀剂层作为一掩模，施加一第一湿式蚀刻工艺以蚀刻牺牲层，借以形成一图案化牺牲层；施加一第二湿式蚀刻工艺以蚀刻材料层；以及施加一第三湿式蚀刻工艺以移除图案化牺牲层。本发明可将蚀刻时间延长而不会发生光致抗蚀剂剥落(peeling)的问题；或可减少对第二材料层进行湿式蚀刻的时间，且可解决光致抗蚀剂剥落的问题；或可解决氮化钛表面残留光致抗蚀剂残余物的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件的制法，包括以下步骤：形成一材料层于一基材之上；形成一牺牲层于该材料层之上，其中该材料层与该牺牲层各自具有小于100埃的厚度；形成一图案化光致抗蚀剂层于该牺牲层之上；利用该图案化光致抗蚀剂层作为一掩模，施加一第一湿式蚀刻工艺以蚀刻该牺牲层，借以形成一图案化牺牲层；施加一第二湿式蚀刻工艺以蚀刻该材料层；以及施加一第三湿式蚀刻工艺以移除该图案化牺牲层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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