[发明专利]激光修复装置及激光修复方法无效
申请号: | 200910169507.9 | 申请日: | 2009-09-08 |
公开(公告)号: | CN101673666A | 公开(公告)日: | 2010-03-17 |
发明(设计)人: | 赤羽隆之 | 申请(专利权)人: | 奥林巴斯株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/321;B23K26/06;G02B26/08 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 激光修复装置及激光修复方法,极其精细地控制激光光束的照射,更适当地修复缺陷。方案存储部(123)存储照射条件图像,该照射条件图像使与层叠物质对应的照射条件和玻璃基板表面上多个层叠区域中的各个层叠区域相对应。图像处理部(127)识别通过在玻璃基板上层叠各种物质而制造的FPD基板(101)表面上的缺陷范围,根据照射条件图像并按照是与哪个层叠区域重合,来把缺陷范围划分为照射区域。主控制部(122)通过激光控制部(125)和空间调制控制部(126),依次对二维空间光调制器(106)指定一个以上空间调制模式,并控制激光器单元(105),以便对各个照射区域按照与和该照射区域重合的层叠区域对应的照射条件,向该照射区域照射激光光束。 | ||
搜索关键词: | 激光 修复 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种激光修复装置,其向产品表面上存在的缺陷照射激光光束来修复所述缺陷,所述产品是通过在基板的表面上层叠一层以上用于形成电路的一种以上的物质而制造的,其特征在于,所述激光修复装置具有:射出单元,其射出所述激光光束;二维空间调制单元,其按照所指定的空间调制模式,对从所述射出单元射出的所述激光光束进行空间调制后,照射到所述产品的表面上;存储单元,其存储照射条件信息,该照射条件信息使照射条件与所述基板表面上的多个层叠区域的各个层叠区域相对应,其中,该照射条件与在该层叠区域上层叠一层以上的所述一种以上的物质相对应;识别单元,其识别所述缺陷的范围;划分单元,其根据存储在所述存储单元中的所述照射条件信息,把由所述识别单元识别的所述缺陷的所述范围,按照其是与所述多个层叠区域中的哪个层叠区域重合来划分为一个以上的照射区域;以及控制单元,其依次对所述二维空间调制单元指定一个以上的空间调制模式,并控制所述射出单元,以便对由所述划分单元划分的所述一个以上的照射区域的各个照射区域,按照与和该照射区域重合的所述层叠区域相对应的所述照射条件,来向该照射区域照射所述激光光束。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造