[发明专利]基板处理方法有效
| 申请号： | 200910170539.0 | 申请日： | 2009-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101673683A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 栉引理人;西村荣一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;G03F7/36 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理方法，形成满足半导体设备的小型化要求的尺寸的开口部，能够增加掩模层的厚度。该基板处理方法对晶片(W)进行处理，该晶片(W)依次叠层有SiN膜(51)、BARC膜(52)和光致抗蚀剂膜(53)，该光致抗蚀剂膜(53)具有使BARC膜(52)的一部分露出的开口部(54)，该方法包括增加掩模层厚度的步骤，在该步骤中，通过由沉积性气体CH3F气体和SF6气体的混合气体生成的等离子体，在具有开口部(54)的光致抗蚀剂膜(53)的上部表面堆积沉积物，从而增大厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种处理基板方法，对依次叠层有处理对象层、中间层和掩模层并且所述掩模层具有使所述中间层的一部分露出的开口部的基板进行处理，其特征在于：包括增加掩模层厚度的步骤，在该步骤中，通过由通式CxHyFz所示的沉积性气体和SF6气体的混合气体生成的等离子体，在具有所述开口部的掩模层的上部表面堆积沉积物，从而使厚度增加，其中，x、y、z是正整数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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