[发明专利]氮化镓半导体衬底和蓝色发光器件有效
| 申请号： | 200910170653.3 | 申请日： | 2004-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN101661910A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 中山雅博;松本直树 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L33/00;H01S5/00;H01L21/306 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及氮化镓半导体衬底和蓝色发光器件。当氮化物半导体单晶晶片被抛光时，产生加工-变换层。为了除去加工-变换层，需要刻蚀。但是，氮化物半导体材料在化学上是惰性的，不存在适合的刻蚀。尽管提出了例如，氢氧化钾或硫酸作为GaN刻蚀剂，但是它们从Ga表面腐蚀地除去材料是弱的。为了除去加工-变换层，进行利用卤素等离子体的干法刻蚀。可以用卤素等离子体刻蚀掉Ga表面。然而，由于该干法刻蚀，再次产生由于金属颗粒的表面污染的问题。为了解决该问题，执行湿法刻蚀，利用诸如HF+H2O2，H2SO4+H2O2，HCl+H2O2或HNO3的溶液作为刻蚀剂，该刻蚀剂没有选择性，具有刻蚀能力和具有1.2V或更高的氧化还原电位。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体 衬底 蓝色 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓半导体衬底，该氮化镓半导体衬底在其表面上包括有选自Si、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu、Zn和Al中的至少一种元素的金属污染，其中，所述金属污染的总量是0至10×1011原子/cm2。
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