[发明专利]形成半导体器件中的图样的方法无效
| 申请号： | 200910171645.0 | 申请日： | 2009-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN101673709A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 崔宰荣 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;G03F1/14 |
| 代理公司： | 北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 宋子良;吴淑平 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明披露了一种形成半导体器件中的图样的方法。当将双图样化应用到光刻工艺中以在衬底上形成线和间隔图样时，使用了用来形成密集线的第一掩膜图样和用来形成间隔(线的末端彼此相对的部分)的第二掩膜图样，因此，不存在线的末端彼此相对的部分，从而增加了工艺余量。从而，在形成线和间隔图样时，可以形成精细图样，而不会在线的末端彼此相对的部分处产生电桥。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 中的 图样 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件中的图样的方法，包括：在半导体衬底的上表面上形成硬质掩模层；在所述硬质掩膜层的上表面上形成第一感光膜图样，所述第一感光膜图样用来形成线和间隔图样中的线；通过使用所述第一感光膜图样作为掩膜刻蚀所述硬质掩膜层来形成第一硬质掩膜图样；在具有所述第一硬质掩膜图样的所得结构的上表面上形成第二感光膜图样，所述第二感光膜图样用来形成线和间隔图样中的间隔；通过使用所述第二感光膜图样作为掩膜刻蚀所述第一硬质掩膜图样来形成第二硬质掩膜图样；以及通过使用所述第二硬质掩膜图样作为掩膜刻蚀所述半导体衬底来形成所述线和间隔图样。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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