[发明专利]双区离子束碳沉积有效
| 申请号： | 200910173341.8 | 申请日： | 2009-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN101660133A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | P·S·麦克莱奥德;K·-W·舒尔 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/46 | 分类号： | C23C14/46;C23C14/06;C23C14/54 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于离子束沉积的包括多个阳极的离子源，其中离子源沉积源材料的多个区，并且多个区中的至少两个的厚度不同。 | ||
| 搜索关键词： | 离子束 沉积 | ||
【主权项】：
1、一种用于离子束沉积工艺的离子源，其中所述源包括至少两个共轴圆柱阳极的布置。
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