[发明专利]具有对称外部介电层的无核基板封装无效
| 申请号： | 200910173349.4 | 申请日： | 2009-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101685782A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | J·索托冈萨雷斯;T·吴;P·奥勒;M·罗伊;S·李;R·欧默多 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/12;B81C3/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 毛 力;袁 逸 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了一种可使用现有化学剂生产的薄管芯封装基板。在一个示例中，封装基板被构建在支承材料上。干膜光致抗蚀剂层形成在封装基板上。从封装基板上移除支承材料。从基板移除干膜光致抗蚀剂层并且修整该基板以用于封装。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 对称 外部 介电层 无核 封装 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在支承材料上形成封装基板；在所述封装基板上形成干膜光致抗蚀剂层；从所述封装基板移除所述支承材料；移除所述干膜光致抗蚀剂层；以及修整所述基板以用于封装。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
