[发明专利]电容结构有效
申请号: | 200910173551.7 | 申请日: | 2009-09-15 |
公开(公告)号: | CN102024565A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 吴仕先;李明林;赖信助;刘淑芬;陈孟晖;洪金贤 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01G4/38 | 分类号: | H01G4/38;H01G4/005;H01G4/35;H01L29/92 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种电容结构,其包括:第一电极层;第一介电层,设于该第一电极层上;以及第二电极层,设于第一介电层上,其中第一电极层与第二电极层至少其一具有凹凸结构,使第一电极层与第二电极层之间具有至少两种不同距离,形成至少两组电容值的并联效果。 | ||
搜索关键词: | 电容 结构 | ||
【主权项】:
一种电容结构,包括:第一电极层;第一介电层,设于该第一电极层上;以及第二电极层,设于该第一介电层上,其中该第一电极层与第二电极层至少其一具有凹凸结构,使该第一电极层与该第二电极层之间具有至少两种不同距离,形成至少两组电容值的并联效果。
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