[发明专利]基于对聚焦敏感的成本协方差场的辅助特征布置

摘要

本发明涉及基于对聚焦敏感的成本协方差场的辅助特征布置。本发明的一个实施例提供一种确定光学邻近校正后(OPC后)掩膜布局内的辅助特征布置的系统。在操作期间，该系统接收代表OPC前掩膜布局中的成组多边形的成组目标图案。该系统然后基于目标图案来构造对聚焦敏感的成本函数，其中对聚焦敏感的成本函数代表目标图案的OPC后轮廓由于光刻系统的聚焦条件的改变所致的移动量。注意目标图案的轮廓与成组多边形的边基本上重合。接着，该系统基于对聚焦敏感的成本函数来计算成本协方差场(CCF场)，其中CCF场是二维(2D)映射，该映射代表由于在OPC后掩膜布局内的给定位置添加图案所致的对聚焦敏感的成本函数的改变。最后，该系统基于CCF场来生成用于OPC后掩膜布局的辅助特征。

主权项

一种用于确定光学邻近校正后(OPC后)掩膜布局内的辅助特征布置的方法，所述方法包括：接收代表OPC前掩膜布局中的成组多边形的成组目标图案；基于所述目标图案来构造对聚焦敏感的成本函数，其中所述对聚焦敏感的成本函数代表所述目标图案的OPC后轮廓由于光刻系统的聚焦条件的改变所致的移动量，其中所述目标图案的轮廓与所述成组多边形的边基本上重合；基于所述对聚焦敏感的成本函数来计算成本协方差场(CCF场)，其中所述CCF场是二维(2D)映射，所述映射代表由于在所述OPC后掩膜布局内的给定位置添加图案所致的、对所述对聚焦敏感的成本函数的改变；以及基于所述CCF场来生成用于所述OPC后掩膜布局的辅助特征。