[发明专利]执行全电源电压位线预充电方案的半导体存储器件无效
| 申请号： | 200910174044.5 | 申请日： | 2009-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN101783167A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 张寿凤 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401;G11C11/4063 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 钱大勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种使用通过使用位线读出放大器的全VDD位线预充电方案的半导体存储器件，包括：预充电单元，用于将位线和互补位线从电源电压预充电至一电压，该电压比电源电压小预定电压；和所述读出放大器，包括串联连接在所述位线和所述互补位线之间以便彼此交叉耦合的第一晶体管和第二晶体管，其中，所述第一晶体管的栅极与所述互补位线连接，而所述第二晶体管的栅极与所述位线连接。所述预充电单元响应于第一预充电信号而将所述位线和互补位线预充电至比电源电压小所述第一晶体管或第二晶体管的阈值电压的电压，以及响应于第二预充电信号而将所述位线和互补位线从电源电压预充电至比电源电压小所述第一晶体管或第二晶体管的阈值电压的一半的电压。 | ||
| 搜索关键词： | 执行 电源 电压 位线预 充电 方案 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：位线对，包括位线和互补位线；预充电单元，用于将所述位线和所述互补位线预充电至一电压，该电压为小于电源电压的第一电压；和读出放大单元，包括由第一电流源驱动的、串联连接在所述位线和所述互补位线之间以便彼此交叉耦合的第一晶体管和第二晶体管，其中，所述第一晶体管的栅极与所述互补位线连接，而所述第二晶体管的栅极与所述位线连接，其中，由所述第一晶体管或所述第二晶体管确定所述第一电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910174044.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：眼镜架弹簧铰链
- 下一篇：一种用于光纤接入网中光缆交接箱的纤路管理系统
