[发明专利]使用双镶嵌工艺制造半导体器件的方法以及制造具有连通孔的制品的方法

摘要

提供一种用于制造半导体器件的方法，其中很容易控制布线沟槽和通孔在深度方向上的长度。在衬底上制备具有第一绝缘膜的部件，并在上述第一绝缘膜上设置一层。在上述的层上压印具有图形的模型，以便形成具有布线沟槽和第一通孔的第二绝缘膜，该图形对应于布线沟槽和第一通孔。之后，通过使用上述的第二绝缘膜作为掩模蚀刻上述的第一绝缘膜，以便在第一绝缘膜中形成连接到第一通孔的第二通孔。

主权项

1.一种通过使用双镶嵌工艺制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底上制备具有第一绝缘膜的部件；在第一绝缘膜上设置一层；在该层上压印具有图形的模型，以便形成具有布线沟槽和第一通孔的第二绝缘膜，该图形对应于所述布线沟槽和第一通孔；通过使用第二绝缘膜作为掩模蚀刻第一绝缘膜，以便在第一绝缘膜中形成第二通孔，第二通孔比第一通孔长并且连通到第一通孔；蚀刻第二绝缘膜以便使所述布线沟槽连通到第二通孔；以及在所述布线沟槽和第二通孔中填充导电材料。