[发明专利]非易失性存储器的制造方法、写入方法及读取方法有效
申请号: | 200910177543.X | 申请日: | 2007-03-29 |
公开(公告)号: | CN101661797A | 公开(公告)日: | 2010-03-03 |
发明(设计)人: | 陈威仲;何达能;陈俤文;陈威铭 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C17/10 | 分类号: | G11C17/10 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 史新宏 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 提供一种非易失性存储器的操作方法。首先,提供一待编码存储器,该待编码存储器的存储体在程序化后具有一第一位状态与程序化前具有一第二位状态。接着计算一欲编码程序数据中该第一位状态及该第二位状态的数量。当该第一位状态的数量大于该第二位状态的数量时,反向定义该欲编码程序数据。将该反向定义后的欲编码程序数据写入该待编码存储器中。 | ||
搜索关键词: | 非易失性存储器 制造 方法 写入 读取 | ||
【主权项】:
1.一种非易失性存储器的操作方法,其特征在于,包括:(a)提供一待编码存储器,该待编码存储器的存储体在程序化后具有一第一位状态与程序化前具有一第二位状态;(b)计算一欲编码程序数据中该第一位状态及该第二位状态的数量;(c)当该第一位状态的数量大于该第二位状态的数量时,反向定义该欲编码程序数据;以及(d)将该反向定义后的欲编码程序数据写入该待编码存储器中。
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