[发明专利]集成电路保护器件有效
| 申请号： | 200910177847.6 | 申请日： | 2009-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101859765A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 汤钦昕;李建兴 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L23/60;H01L21/82;H02H9/02 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提出了一种集成电路的保护器件。所述保护器件包括NMOS器件。所述NMOS器件被连接到有源器件的栅极，如逆变器。所述保护器件可提供保护，免受等离子导致损伤(PID)，如可危害有源器件的电荷效应。所述NMOS保护器件为处理过程中累积的电荷提供到电压源的路径，例如，接地或Vss。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 保护 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；形成在衬底上的逆变器器件；保护器件，其中所述保护器件包括形成在衬底上的n沟道晶体管器件，并被连接到逆变器器件；和第一电压源，其中所述n沟道晶体管的源极被连接到所述第一电压源。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
