[发明专利]发光二极管结构无效
| 申请号： | 200910178300.8 | 申请日： | 2009-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN102044595A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 陈冠宇 | 申请（专利权）人： | 亿光电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管结构，包括一具有一凹陷部的基座。一发光二极管芯片设置在基座的凹陷部中，用于产生一光线。一透光块设置在基座上并覆盖凹陷部及发光二极管芯片，使光线经由透光块而射出。透光块呈平顶多边角锥型，其包括有一底面、一顶面以及多个侧面，多个侧面连接于底面以及顶面之间且透光块的顶面上形成有一具有一底部的凹槽。本发明提供的发光二极管结构能够大幅提升出射光的亮度，且除了正向光之外，也一并提高侧向光的亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
一种发光二极管结构，包括：一基座，具有一凹陷部；一发光二极管芯片，设置在该基座的凹陷部中，用于产生一光线；以及一透光块，设置在该基座上并覆盖该凹陷部及该发光二极管芯片，使该光线经由该透光块而射出，其中，该透光块呈平顶多边角锥体，包括一底面、一顶面以及多个侧面，该等侧面连接于该底面以及该顶面之间。
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