[发明专利]非对称式的超大功率射频开关模块及其制备方法

摘要

本发明是非对称式的超大功率射频开关模块及其制备方法，其结构是在ANT-TX与ANT-RX两个通道间形成两个不对称通道，两个通道间的切换控制由集成硅驱动芯片实现。制备方法：在高导热的RO4350基板上用银浆粘接超高导热性能的AIN衬底、集成硅驱动芯片以及ANT-RX通道的两个PIN二极管芯片；在AIN衬底上用银浆粘接ANT-TX通道的大功率PIN二极管芯片；PIN二极管芯片、集成硅驱动芯片与RO4350基板间通过键合金丝连接。优点：满足TD-SCDMA及WIMAX系统基站功放超大功率切换控制的长时间/极限条件下的大功率工作条件，在射频功率大于35W条件下能安全可靠工作。集成度高，成本低，性能优。

主权项

1、非对称式的超大功率射频开关模块，其特征是ANT-TX通道采用一个低串联电阻、低热阻的大功率PIN二极管作为开关元件，ANT-RX通道采用两个小电容、低串联电阻的中功率PIN二极管作为开关元件，这样制作的开关电路在ANT-TX与ANT-RX两个通道间形成两个不对称通道，分别满足两个通道对功率、隔离度、插入损耗等要求，两个通道间的切换控制由集成硅驱动芯片实现。