[发明专利]高压二极管新型生产工艺无效
| 申请号： | 200910184092.2 | 申请日： | 2009-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN101621003A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 王志敏 | 申请（专利权）人： | 王志敏 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/22;H01L21/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226500江苏省如*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 高压二极管新型生产工艺，它涉及二极管的制造工艺，具体涉及高压二极管的生产工艺的改进。本发明是采用以下技术方案，高压二极管的生产工艺包含以下工艺步骤：1.硅片扩散；2.镀镍；3.合金；4.切断；5.硅块腐蚀；6.焊接；7.碱腐蚀；8.上胶；9.模压；10.电镀；11.测试。所述的步骤1硅片扩散采用直拉单晶片，采用直拉单晶片取代传统技术的区熔单晶片，可以降低本道工序成本60％。本发明中高压二极管的生产过程中经过改进，整体降低成本50％，已经完全克服技术上的难点，采用价格便宜的三种材料生产加工高压二极管。本发明能大大降低高压二极管的生产成本，平均降低生产成本达到50％，可以大大降低高压二级管的市场价格，快速占领市场；也为环保、节能做出了大量的贡献。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 二极管 新型 生产工艺 | ||
【主权项】：
1、高压二极管新型生产工艺，它的生产工艺步骤为：1、硅片扩散；2、镀镍；3、合金；4、切断；5、硅块腐蚀；6、焊接；7、碱腐蚀；8、上胶；9、模压；10、电镀；11、测试；其特征在于所述的步骤1硅片扩散采用直拉单晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
