[发明专利]一种处理印刷半导体电路封装基板电镀引线的方法及设备无效
申请号: | 200910189816.2 | 申请日: | 2009-08-29 |
公开(公告)号: | CN101645402A | 公开(公告)日: | 2010-02-10 |
发明(设计)人: | 刘井基 | 申请(专利权)人: | 深圳市深联电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/00 |
代理公司: | 深圳市精英专利事务所 | 代理人: | 李新林 |
地址: | 518000广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种处理印刷半导体电路封装基板电镀引线的方法及设备。本发明通过前工序处理器处理前工序;接着阻焊器阻焊开窗在所需去除的电镀引线位置处;然后二次干膜器盖住电硬厚位置和所需去除的电镀引线位置处,二次干膜;接着,软厚金电镀器电镀软厚金;然后退膜器退膜;接着三次干膜器盖住电软厚位置和所需去除的电镀引线位置处,三次干膜;然后硬厚金电镀器电镀硬厚金;接着退膜器退膜;然后碱性蚀刻器完成碱性蚀刻;接着后工序处理器处理后工序,从而达到实现去除在基板单元上留下的剩余的电镀引线的目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 处理 印刷 半导体 电路 封装 电镀 引线 方法 设备 | ||
【主权项】:
1、一种处理印刷半导体电路封装基板电镀引线的方法,其特征在于,包括:阻焊、二次干膜、软厚金电镀、退膜、三次干膜、硬厚金电镀、退膜、碱性蚀刻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市深联电路有限公司,未经深圳市深联电路有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910189816.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造