[发明专利]一种建立集成电路芯片内工艺偏差的空间相关性模型的方法有效
| 申请号： | 200910194421.1 | 申请日： | 2009-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN101996266A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 曾璇;陆伟成;陶俊;严昌浩;付强 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 包兆宜 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属集成电路领域，涉及一种建立集成电路芯片内工艺偏差的空间相关性模型的方法。采用多测试芯片最大似然估计方法，提取空间相关函数的未知参数，建立片内偏差的空间相关性模型。该方法将所有测试芯片的似然函数相乘得到一个联合似然函数，通过对联合似然函数最大化求解获得参数值确定的空间相关函数，可直接用于工艺偏差的电路分析设计。在空间相关函数提取过程中，能处理片内偏差纯随机部分和测量误差的影响，显著提高提取结果的精度。并利用LU分解计算联合似然函数中对称正定矩阵的行列式对数，解决了直接计算时会出现的数值不稳定的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 建立 集成电路 芯片 工艺 偏差 空间 相关性 模型 方法 | ||
【主权项】：
一种建立集成电路芯片内工艺偏差的空间相关性模型的方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤1：将所测试芯片的似然函数相乘得到联合似然函数；步骤2：考虑金块效应后对联合似然函数进行修正；步骤3：通过最大化求解对数联合似然函数得到未知参数的估计值。
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