[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910194453.1 | 申请日： | 2009-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN101996994A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 吴小莉;许丹;刘宪周 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/8234;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上具有栅极；在所述栅极两侧的半导体衬底中具有第一离子掺杂区和第二离子掺杂区，所述第一离子掺杂区和第二离子掺杂区掺杂的离子为同型，所述第一离子掺杂区、第二离子掺杂区和栅极构成第一MOS晶体管；在所述第一离子掺杂区中具有第三离子掺杂区，所述第二离子掺杂区中具有第四离子掺杂区，所述第三离子掺杂区和第四离子掺杂区为同型，第三离子掺杂区和第四离子掺杂区，与所述第一离子掺杂区和第二离子掺杂区反型，第三离子掺杂区、第四离子掺杂区和栅极构成第二MOS晶体管，从而实现了双向导通。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上具有栅极；在所述栅极两侧的半导体衬底中具有第一离子掺杂区和第二离子掺杂区，所述第一离子掺杂区和第二离子掺杂区掺杂的离子为同型，所述第一离子掺杂区、第二离子掺杂区和栅极构成第一MOS晶体管；在所述第一离子掺杂区中具有第三离子掺杂区，所述第二离子掺杂区中具有第四离子掺杂区，所述第三离子掺杂区和第四离子掺杂区为同型，第三离子掺杂区和第四离子掺杂区，与所述第一离子掺杂区和第二离子掺杂区反型，第三离子掺杂区、第四离子掺杂区和栅极构成第二MOS晶体管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910194453.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
