[发明专利]晶圆级芯片尺寸封装结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200910195185.5 | 申请日： | 2009-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN102013403A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 梅娜;佟大明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60;H01L23/485;H01L23/488;H01L23/482 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，包括：提供晶圆，所述晶圆上具有焊盘；在所述晶圆上进行重布线层的光制程；形成并刻蚀所述重布线层，以形成所需图形，所述重布线层和所述焊盘电性连接；在所述晶圆上进行第二钝化层的光制程；刻蚀所述第二钝化层，以形成第二钝化层通孔，以露出所述重布线层，并对所述第二钝化层进行固化和清除浮渣；在所述第二钝化层通孔处植入焊球，所述焊球和所述重布线层电性连接；对所述晶圆进行产品出货前的品质检验。以及根据所述制造方法的晶圆级芯片尺寸封装结构。本发明的制造方法节省了工艺步骤和材料，降低了产品的成本和竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 芯片 尺寸 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，包括：提供晶圆，所述晶圆上具有焊盘；在所述晶圆上进行重布线层的光制程；形成并刻蚀所述重布线层，以形成所需图形，所述重布线层和所述焊盘电性连接；在所述晶圆上进行第二钝化层的光制程；刻蚀所述第二钝化层，以形成第二钝化层通孔，以露出所述重布线层，并对所述第二钝化层进行固化和清除浮渣；在所述第二钝化层通孔处植入焊球，所述焊球和所述重布线层电性连接；对所述晶圆进行产品出货前的品质检验。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
