[发明专利]一种垂直双扩散MOS晶体管测试结构有效
| 申请号： | 200910195415.8 | 申请日： | 2009-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN101667597A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 刘宪周;克里丝 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/544;G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王 洁 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种垂直双扩散MOS晶体管测试结构，属于半导体技术领域，包括半导体衬底、外延层、源掺杂区、漏掺杂区、沟道区、夹层电介质层，覆盖在半导体衬底上表面用于引出源电极和漏电极的金属层以及覆盖半导体衬底底面的背金属层。其中，位于源掺杂区和漏掺杂区下方的沟道区部分重叠，形成合并沟道，覆盖在外延层表面用于引出漏电极的金属层所引出的电极为测试用漏电极，覆盖半导体衬底底面的背金属层引出的才是该垂直扩散MOS晶体管真正的漏电极。通过测试用漏电极与源电极作为输出电极进行测试，有效实现对垂直双扩散MOS晶体管实际参数的监控，并克服研磨后表征的困难，统一测试程序，从而进一步降低维护、开发成本，提高产品测试、反馈的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 扩散 mos 晶体管 测试 结构 | ||
【主权项】：
1.一种垂直双扩散MOS晶体管测试结构，包括：第一导电类型的半导体衬底，位于半导体衬底上表面的第一导电类型的外延层，位于外延层表面的第一导电类型的源掺杂区和第一导电类型的漏掺杂区，位于所述源掺杂区下方的第二导电类型的源沟道区和位于所述漏掺杂区下方的第二导电类型的漏沟道区，覆盖栅极表面的夹层电介质层，覆盖在外延层表面用于引出源电极和漏电极的金属层以及覆盖半导体衬底底面的背金属层，其特征在于，所述源沟道区和所述漏沟道区部分重叠，形成合并沟道。
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