[发明专利]一种低介电常数绝缘薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200910195819.7 | 申请日： | 2009-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN101651131A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 丁士进;钱可嘉;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/314 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆 飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于集成电路材料技术领域，具体涉及一种低介电常数绝缘薄膜及其制备方法。本发明提出的低介电常数绝缘薄膜为SiCONF薄膜，该薄膜的主要成分是硅(Si)、碳(C)、氧(O)、氮(N)、氟(F)，薄膜厚度为20～500nm。本发明可用等离子体化学气相淀积(PECVD)方法制备上述低介电常数绝缘介质SiCONF薄膜；在化学气相淀积设备中增加等离子发生装置均可作为本发明方法的装置；用等离子体增强化学气相淀积设备产生等离子，现有的等离子射频激励源频率范围均可使用。本发明的SiCONF薄膜介电常数低，薄膜泄漏电流密度低，薄膜热稳定性高，薄膜机械性能良好，可以与现有的集成电路工艺很好地兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介电常数 绝缘 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种低介电常数绝缘薄膜，其特征在于薄膜成分是Si、C、O、N、F，记为SiCONF薄膜，薄膜厚度为20～500nm，薄膜中Si原子的含量是20～30％，C原子的含量是2～20％，O原子的含量是40～60％，N原子的含量是2～10％，F原子的含量是5～10％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910195819.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种锂离子电池
- 下一篇：自动控制理论的教学实验方法
