[发明专利]涂层材料的涂布方法无效
| 申请号： | 200910195840.7 | 申请日： | 2009-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102019266A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 章国伟;张尔飚;吴欣华;刘贵娟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | B05D5/00 | 分类号： | B05D5/00;B05D7/00;B05D7/24;B05C11/02;B05C11/08;G03F7/16 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭露了一种涂层材料的涂布方法，所述方法包括如下步骤：提供半导体晶片；向所述半导体晶片表面喷洒涂层材料；旋转所述半导体晶片以在所述半导体晶片表面形成涂层，其中所述半导体晶片的边缘区域的涂层厚度比中央区域的涂层厚度大；继续旋转所述半导体晶片，同时向所述半导体晶片边缘区域的部分区域喷洒清洗液；再次旋转所述半导体晶片。所述涂布方法可形成厚度均匀的涂层，解决了半导体晶片边缘较厚的涂层材料对曝光机台造成污染的问题，提高了产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 涂层 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种涂层材料的涂布方法，包括：提供半导体晶片；向所述半导体晶片表面喷洒涂层材料；旋转所述半导体晶片以在所述半导体晶片表面形成涂层，其中所述半导体晶片边缘区域的涂层厚度比中央区域的涂层厚度大；继续旋转所述半导体晶片，同时向所述半导体晶片边缘区域的部分区域喷洒清洗液；再次旋转所述半导体晶片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910195840.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：波束扫描阵列天线
- 下一篇：一种生态屋的扩限流保护电路
