[发明专利]分析半导体产品的基准良率值的方法有效

专利信息
申请号: 200910196115.1 申请日: 2009-09-22
公开(公告)号: CN102024672A 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: 刘喆秋;王立;梅杰 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;G06F17/00;G01R31/26
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 20120*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明分析半导体产品的基准良率值的方法,可以有效去除漂移点。即用平均值减去正常数倍的标准方差的方法找出并且排除漂移出正常数倍标准方差之外的漂移点。然后,将剩下的数据再按平均值减去正常数倍的标准方差的方法再排除一遍。如是操作,几次循环后,会有一个收敛值出现。此时,可以认为半导体产品测量值的漂移点已被清除。剩下的半导体产品的良率平均值为所述半导体产品的基准良率。
搜索关键词: 分析 半导体 产品 基准 良率值 方法
【主权项】:
分析半导体产品的基准良率值的方法,包括:选取一定数量的所述半导体产品,测量每个所述半导体产品的良率值并将其存入第一存储单元;第一数据计算单元根据所述第一存储单元内的数据,计算选取的所有所述半导体产品的良率平均值和标准方差,得到所述半导体产品第一良率平均值和所述半导体产品第一标准方差,用所述半导体产品第一良率平均值减去所述半导体产品第一标准方差的第一正常数倍,得到所述半导体产品第一正常良率的下限值;第一修正单元去除良率值小于所述半导体产品第一正常良率的下限值的半导体产品以及所述第一存储单元内对应的良率值,所述第一数据计算单元根据所述第一存储单元内剩余的数据,计算剩余半导体产品的良率平均值和标准方差,得到所述半导体产品第二标准方差,用所述所述半导体产品第二良率平均值减去所述所述半导体产品第二标准方差的第一正常数倍,得到所述半导体产品第二正常良率的下限值;所述第一存储单元、第一数据计算单元和第一修正单元重复上述对半导体产品的良率值存储、计算和修正,直到得到收敛的所述半导体产品第N正常良率的下限值,即所述半导体产品第N正常良率的下限值与所述半导体产品第N‑1正常良率的下限值相等时,对应的所述半导体产品第N良率平均值为所述半导体产品的基准良率值。
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