[发明专利]焦硅酸钇闪烁单晶的浮区法生长方法无效
| 申请号： | 200910196441.2 | 申请日： | 2009-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN101665982A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 冯鹤;丁栋舟;任国浩;潘尚可;陆晟;张卫东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/34 | 分类号： | C30B29/34;C30B13/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200050上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于无机化合物晶体及制造技术领域，具体涉及一种焦硅酸钇闪烁单晶的浮区法生长方法。本发明的生长方法包括：原料的合成，熔料，接种，生长和降温四个步骤，其中，晶体生长完毕后的降温过程中，在相变点温度以上时，降温速率为30～50℃/分钟，在相变点温度以下时，降温速率为100～200℃/小时。本发明的生长方法解决了YPS晶体生长过程中非一致熔融的问题和相变的问题，可以获得晶体质量较好的YPS高温δ相单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 硅酸 闪烁 浮区法 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、一种焦硅酸钇闪烁单晶的浮区法生长方法，包括如下步骤：1)配料：将原料按照晶体组成比例配料后混合均匀制得混合料；2)预烧结：将步骤1)中制得的混合料压成料棒后进行预烧结后制得多晶棒；3)晶体生长：将多晶棒和籽晶安装在浮区炉中，密封并通入保护气体，然后升温至多晶棒和籽晶融化，升温同时多晶棒和籽晶分别同向或反向转动，保温，接种；然后进行晶体生长；4)降温：晶体生长完毕后进行降温，在降温过程中，在相变点温度以上时，降温速率为30～50℃/分钟，在相变点温度以下时，降温速率为100～200℃/小时。
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