[发明专利]具有绝缘埋层的混合晶向应变硅衬底制备方法

摘要

一种具有绝缘埋层的混合晶向应变硅衬底制备方法，包括如下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括第一锗硅层与支撑衬底，所述第一锗硅层具有第一晶向，支撑衬底具有第二晶向；在第一锗硅层中形成生长窗口；在生长窗口侧壁的表面形成侧墙；在生长窗口中外延生长第二锗硅层；抛光第一与第二锗硅层；注入氧离子至半导体衬底中并退火；在第一与第二锗硅层表面生长具有第一应变硅层与第二应变硅层。本发明的优点在于，保证了所有的器件层的下方都有绝缘埋层，以实现器件层和衬底之间的介质隔离。并且能够保持应变硅的应变程度，避免其在后续工艺中由于环境的变化而发生晶格的弛豫，导致应变特性丧失。

主权项

一种具有绝缘埋层的混合晶向应变硅衬底制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括第一锗硅层与支撑衬底，所述第一锗硅层具有第一晶向，支撑衬底具有第二晶向；在第一锗硅层中形成生长窗口，所述生长窗口贯穿至下方的支撑衬底；在生长窗口侧壁的表面形成侧墙；在生长窗口中外延生长第二锗硅层，所述第二锗硅层与支撑衬底具有相同的第二晶向；抛光第一与第二锗硅层，使第一锗硅层与第二锗硅层的表面处于同一平面；注入氧离子至半导体衬底中并退火，以形成连续的绝缘埋层；在第一锗硅层表面生长具有第一晶向的第一应变硅层，并在第二锗硅层表面生长具有第二晶向的第二应变硅层。