[发明专利]掩模图形校正方法以及掩模版制作方法有效
申请号: | 200910197089.4 | 申请日: | 2009-10-13 |
公开(公告)号: | CN102043325A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | 李承赫;杨青 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李丽 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种掩模图形校正方法以及掩模版制作方法,其中所述掩模图形校正方法包括:对待校正图形进行光学邻近校正,获得校正图形;根据所述校正图形,获得与其对应的工艺窗口;将所述工艺窗口与设定值进行比较;当所述工艺窗口小于所述设定值时,对所述初始校正图形重复上述校正,直至当所述工艺窗口大于或者等于所述设定值时,校正完成。本发明避免了将所有图案进行目标重置后再对每个图案进行光学邻近校正,简化了掩模图形的校正,节省了人力和时间,大大减少了校正时间,提高了生产效率。 | ||
搜索关键词: | 图形 校正 方法 以及 模版 制作方法 | ||
【主权项】:
一种掩模图形校正方法,包括:对待校正图形进行光学邻近校正,获得校正图形;根据所述校正图形,获得与其对应的工艺窗口;比较所述工艺窗口与设定值;当所述工艺窗口小于所述设定值时,对所述校正图形重复上述校正,直至当所述工艺窗口大于或者等于所述设定值时,校正完成。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备