[发明专利]共享存储单元的分栅式闪存无效
| 申请号： | 200910197127.6 | 申请日： | 2009-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN101692453A | 公开（公告）日： | 2010-04-07 |
| 发明（设计）人： | 曹子贵 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/423;G11C16/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种共享存储单元的分栅式闪存，包括：半导体衬底，其上具有间隔设置的源极区域和漏极区域；沟道区，位于所述源极区域和漏极区域之间；存储单元，位于所述沟道区上方；字线，位于所述存储单元上方；第一选择栅和第二选择栅，分别位于所述字线和存储单元两侧，其中，所述存储单元包括第一存储部分和第二存储部分，所述第一存储部分邻近第一选择栅，所述第二存储部分邻近第二选择栅，所述存储单元为氮化硅存储单元。本发明提出的共享存储单元的分栅式闪存，实现单字节存储面积缩小的同时，也可以避免过擦除的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 共享 存储 单元 分栅式 闪存 | ||
【主权项】：
一种共享存储单元的分栅式闪存，其特征在于，包括：半导体衬底，其上具有间隔设置的源极区域和漏极区域；沟道区，位于所述源极区域和漏极区域之间；存储单元，位于所述沟道区上方；字线，位于所述存储单元上方；第一选择栅和第二选择栅，分别位于所述字线和存储单元两侧，其中，所述存储单元包括第一存储部分和第二存储部分，所述第一存储部分邻近第一选择栅，所述第二存储部分邻近第二选择栅，所述存储单元为氮化硅存储单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
