[发明专利]一种选择性淀积铜互连扩散阻挡层的方法

摘要

本发明属于集成电路技术领域，具体公开了一种选择性淀积铜互连扩散阻挡层的方法，包括：在淀积扩散阻挡层前，先在暴露的铜表面上附着一层有机基团，防止原子层在淀积过程中，前驱体在铜表面的吸附，达到有选择性地淀积扩散阻挡层的目的。本发明可以实现扩散阻挡层在铜互连通孔底部以外的地方淀积扩散阻挡层，去除铜通孔中不必要的扩散阻挡层，降低通孔中的接触电阻从而降低这个系统的电阻，从而减小整个电路的RC延迟。

主权项

一种选择性淀积铜互连扩散阻挡层的方法，其特征是，该方法包括下列步骤：提供一个互连结构的某一层布线已经完成的集成电路衬底；在所述衬底上依次淀积一层低介电常数介质层和一层刻蚀阻挡层；在低介电常数介质层和刻蚀阻挡层中开出一个开口，该开口的位置与所提供衬底的互连线沟槽的位置相符；在暴露的铜表面上吸附一层有机基团；淀积扩散阻挡层；去除有机基团并淀积籽晶铜；电化学镀铜。