[发明专利]具有共源结构的MOS晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200910197457.5 | 申请日： | 2009-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102044435A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 李奉载 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种具有共源结构的MOS晶体管及其制造方法，所述制造方法包括：在半导体衬底上依次形成栅极介质层及相邻MOS晶体管的栅电极；进行LDD注入，形成相邻MOS晶体管的轻掺杂漏极；在所述栅电极靠近轻掺杂漏极的一侧形成侧墙；进行源/漏极注入，形成相邻MOS晶体管的漏极和共源结构。本发明通过在MOS标准工艺基础上的局部调整，仅在漏极一侧形成LDD结构，而没有在共源区形成LDD结构，降低了导电沟道的电阻，加长了导电沟道的长度，减轻了短沟道效应，提高了器件反应速度和整体的电性能。本发明对标准工艺流程仅作局部调整，其流程简单，对产能和成本不会产生较大影响。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结构 mos 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有共源结构的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上依次形成栅极介质层及相邻MOS晶体管的栅电极；进行LDD注入，形成相邻MOS晶体管的轻掺杂漏极；在所述栅电极靠近轻掺杂漏极的一侧形成侧墙；进行源/漏极注入，形成相邻MOS晶体管的漏极和共源结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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