[发明专利]刻蚀沟槽的方法有效
| 申请号： | 200910197667.4 | 申请日： | 2009-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN102041508A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/12 | 分类号： | C23F1/12;C23F1/02 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种刻蚀沟槽的方法，所述刻蚀在刻蚀反应腔内进行，对层间介质层进行刻蚀形成沟槽，该方法分为两步执行，包括：第一步刻蚀控制刻蚀反应腔内的压力为一预定值，向刻蚀反应腔内提供偏置功率，向刻蚀反应腔内通入包括氧气和四氟化碳CF4的气体；在刻蚀到沟槽深度的1/3～2/3时，执行第二步刻蚀，保持与第一步刻蚀时刻蚀反应腔内的压力相同，向刻蚀反应腔内提供偏置功率、源功率和磁场，向刻蚀反应腔内通入包括氢气、氧气和CF4的气体。采用该方法有效解决了刻蚀的沟槽出现侧壁边粗糙(LER)的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 沟槽 方法 | ||
【主权项】：
一种刻蚀沟槽的方法，所述刻蚀在刻蚀反应腔内进行，对层间介质层进行刻蚀形成沟槽，该方法分为两步执行，包括：第一步刻蚀控制刻蚀反应腔内的压力为一预定值，向刻蚀反应腔内提供偏置功率，向刻蚀反应腔内通入包括氧气和四氟化碳CF4的气体；在刻蚀到沟槽深度的1/3～2/3时，执行第二步刻蚀，保持与第一步刻蚀时刻蚀反应腔内的压力相同，向刻蚀反应腔内提供偏置功率、源功率和磁场，向刻蚀反应腔内通入包括氢气、氧气和CF4的气体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910197667.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
