[发明专利]在半导体器件层上制造自对准硅化物层的方法无效
| 申请号： | 200910197668.9 | 申请日： | 2009-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN102044493A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 梁昌;江小雪 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/768;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在半导体器件层上制造自对准硅化物层的方法，形成具有源极、漏极及栅极的半导体器件层，该方法包括：对形成的半导体器件层采用离子注入方式进行杂质掺杂后，快速退火；在半导体器件层上的非金属化区域形成阻挡层后，在半导体器件层的金属化区域形成自对准硅化物层。本发明提供的方法在不影响最终得到半导体器件性能的基础上在导体器件层上制造自对准硅化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 对准 硅化物层 方法 | ||
【主权项】：
一种在半导体器件层上制造自对准硅化物层的方法，形成具有源极、漏极及栅极的半导体器件层，该方法包括：对形成的半导体器件层采用离子注入方式进行杂质掺杂后，快速退火；在半导体器件层上的非金属化区域形成阻挡层后，在半导体器件层的金属化区域形成自对准硅化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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