[发明专利]崩应测试方法无效
| 申请号： | 200910197683.3 | 申请日： | 2009-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN102043119A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 张启华;简维廷;谢君强;丁育林 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供可一种崩应测试方法，该方法包括步骤：将待测试的芯片安装在老化测试板上，芯片管脚与老化测试板电性连通；将安装有芯片的老化测试板置于老化炉内，并使芯片的电源管脚与电源连接；开启老化炉对芯片加热，开启电源为芯片提供老化电压和测试电压，对芯片的电源管脚上的电压和电流进行测量。本发明可以在老化的同时对直流参数进行实时测量，简化了测试过程，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种崩应测试方法，其特征在于，包括步骤：将待测试的芯片安装在老化测试板上，芯片管脚与老化测试板电性连通；将安装有芯片的老化测试板置于老化炉内，并使芯片的电源管脚与电源连接；开启老化炉对芯片加热，开启电源为芯片提供老化电压和测试电压，老化电压即测试电压，对芯片的电源管脚上的老化电压和在老化电压下的电流进行测量。
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