[发明专利]一种存储器阵列有效
| 申请号： | 200910197806.3 | 申请日： | 2009-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN101702327A | 公开（公告）日： | 2010-05-05 |
| 发明（设计）人： | 顾靖;张博;孔蔚然;胡剑 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/04;H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种存储器阵列，所述阵列包括多个存储器单元，每个所述存储器单元包含多条形成于硅衬底上的相互平行的位线以及平行排列在位线上面且与所述位线垂直的多条字线，其中每条所述位线上均形成相邻的沿所述位线方向的数据单元晶体管的源极和漏极，所述数据单元晶体管的栅极形成于相邻位线之间的字线上。本发明提出的共享字线的存储器阵列，其能够在保持存储器的电学隔离性能不变的情况下，有效地缩小存储器的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 阵列 | ||
【主权项】：
一种存储器阵列，其特征在于所述阵列包括多个存储器单元，每个所述存储器单元包含多条形成于硅衬底上的相互平行的位线以及平行排列在位线上面且与所述位线垂直的多条字线，其中每条所述位线上均形成相邻的沿所述位线方向的数据单元晶体管的源极和漏极，所述数据单元晶体管的栅极形成于相邻位线之间的字线上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910197806.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：治疗精神分裂症的中药胶囊
- 下一篇：一种紫外光固化粘合剂及其制备方法
