[发明专利]高纯β-Sialon陶瓷粉体的制备方法无效
| 申请号： | 200910198287.2 | 申请日： | 2009-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN101698610A | 公开（公告）日： | 2010-04-28 |
| 发明（设计）人： | 刘茜;颜强;王明辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/626 | 分类号： | C04B35/626;C04B35/599 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高纯β-Sialon陶瓷粉体的制备方法。本发明的制备方法将碳热还原氮化工艺与纳米浇注技术结合，具体包括如下步骤：首先以有序介孔二氧化硅为主原料，以可溶性无机铝盐为氧化铝前驱物，以有机小分子化合物为碳源，通过纳米浇注制得介孔碳/氧化硅/氧化铝复合物；然后将介孔碳/氧化硅/氧化铝复合物进行碳热还原氮化制得试样；最后将试样在空气中煅烧除去残留碳，冷却后得产物。本发明的优点在于：制备方法合成温度相对较低，有利于降低生产时所需能耗；制得的β-Sialon陶瓷粉体纯度高，颗粒形貌主要为长棒状，可广泛应用于航天、冶金、化工等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 sialon 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高纯β-Sialon陶瓷粉体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)以有序介孔二氧化硅为主原料，以可溶性无机铝盐为氧化铝前驱物，以有机小分子化合物为碳源，通过纳米浇注制得介孔碳/氧化硅/氧化铝复合物；(2)将所述介孔碳/氧化硅/氧化铝复合物进行碳热还原氮化制得试样；(3)将所述试样在空气中煅烧除去残留碳，冷却后得产物。
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