[发明专利]静电放电保护装置有效
| 申请号： | 200910198463.2 | 申请日： | 2009-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN102055179A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 单毅 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/00 | 分类号： | H02H9/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种静电放电保护装置，包括：连接第一电源线、第二电源线和接地线的静电放电电路及提供静电放电电路偏置电压的偏置控制电路，所述静电放电电路至少包括呈堆叠结构的第一及第二PMOS管，第一PMOS管的源极接于第一电源线，栅极接于所述偏置控制电路，漏极接于第二PMOS管的源极，第二PMOS管的漏极接地，栅极经由偏置控制电路与第二电源线相连，所述第二PMOS管的栅极电压使得第一及第二PMOS管在芯片正常工作时均处于工作电压容限内，所述偏置控制电路在第一电源线面临静电放电脉冲时开启第一、第二PMOS管。所述静电放电保护装置具有较好的静电放电保护功效，且其泄放静电放电电流的PMOS管的栅氧化层具有较好可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护装置 | ||
【主权项】：
一种静电放电保护装置，其特征在于，包括：连接第一电源线、第二电源线和接地线的静电放电电路及提供静电放电电路偏置电压的偏置控制电路；所述静电放电电路至少包括呈堆叠结构的第一及第二PMOS管；所述第一PMOS管的源极接于第一电源线，栅极接于所述偏置控制电路，漏极接于第二PMOS管的源极；所述第二PMOS管的漏极接地，栅极经由偏置控制电路与第二电源线相连，所述第二PMOS管的栅极电压使得第一及第二PMOS管在芯片正常工作时均处于工作电压容限内；所述偏置控制电路在第一电源线面临静电放电脉冲时开启所述第一、第二PMOS管。
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