[发明专利]集成电路铜互连结构的制作方法有效
| 申请号： | 200910198587.0 | 申请日： | 2009-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102054757A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 卑多慧;刘明源;郑春生 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/321 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种集成电路铜互连结构的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有铜互连结构，所述铜互连结构具有初始应力特性。之后，将所述半导体衬底装入反应腔体内并对所述铜互连结构进行退火处理。所述退火处理使铜互连结构具有二次应力特性，而且所述二次应力特性小于初始应力特性。所述铜互连结构的制作方法减少了因初始应力特性产生的铜突起缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 互连 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路铜互连结构的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有铜互连结构，所述铜互连结构具有初始应力特性；将形成有铜互连结构的半导体衬底装入反应腔体中；在所述反应腔体中，对所述铜互连结构进行退火处理，以使所述铜互连结构具有二次应力特性，所述二次应力特性小于初始应力特性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
