[发明专利]一种DRAM存储器有效
| 申请号： | 200910198600.2 | 申请日： | 2009-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102054526A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 邢溯;杨勇胜;肖德元;陈国庆 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4097 | 分类号： | G11C11/4097 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明提供一种DRAM存储器，其包括存储单元，存储单元面积为7F2，相互平行等间隔设置的字线和相互平行等间隔设置并与字线垂直的位线；字线之间的孔距为2F，位线之间的孔距为 |
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| 搜索关键词： | 一种 dram 存储器 | ||
【主权项】：
一种DRAM存储器，其包括存储单元，相互平行等间隔设置的字线和相互平行等间隔设置并与字线垂直的位线；其特征在于：所述存储单元面积为7F2。
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